1、招標條件
項目概況:宜興中車時代半導體有限公司LPCVD設備及高溫氧化爐項目
資金到位或資金來源落實情況:已落實
項目已具備招標條件的說明:已具備
2、招標內容
招標項目名稱:宜興中車時代半導體有限公司LPCVD設備及高溫氧化爐項目
項目實施地點:中國江蘇省
招標產品列表(主要設備):

序號	產品名稱	數量	簡要技術規格	備注
包1	LPCVD設備	14管	用于IGBT芯片制造200mm硅片LPCVD工藝。其他詳見技術規格書	★包中設備不得拆分投標。
包2	高溫氧化爐	8管	高溫氧化爐管采用SIMF模式（E84通訊功能），用于IGBT芯片制造200mm硅高溫氧化工藝。其他詳見技術規格書	★包中設備不得拆分投標。

3、投標人資格要求

投標人應具備的資格或業績:包1：LPCVD設備:
1、投標人具有所投設備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單簽訂時間或制造商出具的簽字或蓋章的業績明細表等其他有效證明材料的落款時間為準）LPCVD設備業績合計不低于50管。（投標文件中必須提供合同或訂單復印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業績明細表）
2、投標人如為貿易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權書》。
包2：高溫氧化爐:
1、投標人具有所投設備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單簽訂時間或制造商出具的簽字或蓋章的業績明細表等其他有效證明材料的落款時間為準）8寸及以上晶圓臥式爐管設備業績合計不低于20管。（投標文件中必須提供合同或訂單復印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業績明細表）
2、投標人如為貿易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權書》。
是否接受聯合體投標:不接受
未領購招標文件是否可以參加投標:不可以
4、招標文件的獲取
招標文件領購開始時間:2023-07-28
招標文件領購結束時間:2023-08-04

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聯系人：陳經理
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